NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA SỐ LƯỢNG KHE HỞ ĐẾN GIÁ TRỊ ĐIỆN CẢM CỦA CUỘN KHÁNG BÙ NGANG | Tú | TNU Journal of Science and Technology

NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA SỐ LƯỢNG KHE HỞ ĐẾN GIÁ TRỊ ĐIỆN CẢM CỦA CUỘN KHÁNG BÙ NGANG

Thông tin bài báo

Ngày nhận bài: 01/07/21                Ngày hoàn thiện: 27/08/21                Ngày đăng: 27/08/21

Các tác giả

1. Phạm Minh Tú, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội
2. Bùi Đức Hùng Email to author, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội
3. Trần Văn Thịnh, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội
4. Đặng Quốc Vương, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội
5. Phùng Anh Tuấn, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội
6. Đặng Chí Dũng, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội

Tóm tắt


Cuộn kháng bù ngang là thiết bị đóng vai trò cực kỳ quan trọng trong hệ thống lưới điện truyền tải. Nó được dùng để hấp thụ lượng công suất phản kháng dư thừa sinh ra bởi dung dẫn đường dây khi vận hành ở chế độ không tải hoặc non tải, nhằm cân bằng công suất phản kháng, tránh quá điện áp cuối đường dây, duy trì ổn định điện áp ở mức quy định. Một trong những thông số quan trọng khi tính toán thiết kế cuộn kháng bù ngang là công suất phản kháng, mà trong đó điện cảm là thông số liên quan trực tiếp đến công suất của thiết bị. Để giảm từ thông nhằm tránh bão hòa mạch từ, cần tăng từ trở mạch từ bằng cách thêm khe hở trên trụ. Tuy nhiên, điều này sẽ làm tăng từ trường tản xung quanh khe hở, dẫn đến làm tăng điện cảm tổng. Để vượt qua được thách thức trên, trong nghiên cứu này, nhóm tác giả đã nghiên cứu phân chia thành nhiều khe hở có kích thước nhỏ hơn và phân bố đều trên trụ, thay vì sử dụng một khe hở lớn như các nghiên cứu trước đây. Bài báo sử dụng phương pháp giải tích dựa trên lý thuyết về mô hình mạch từ và phương pháp phần tử hữu hạn để tính toán và đưa ra mối quan hệ giữa giá trị điện cảm với số lượng khe hở khác nhau phân bố trên trụ. Trên cơ sở các kết quả đạt được, bài báo chỉ ra số lượng khe hở phù hợp khi tính toán thiết kế cuộn kháng.

Từ khóa


Cuộn kháng bù ngang; Điện cảm; Khe hở; Mô hình mạch từ; Phương pháp phần tử hữu hạn

Toàn văn:

PDF

Tài liệu tham khảo


[1] G. Deb, “Ferranti Effect in Transmission Line,” International Journal of Electrical and Computer Engineering (IJECE), vol. 2, no. 4, pp. 447-451, August 2012.

[2] A. D. S. Sri, “Depiction and Compensation of Ferranti Effect in Transmission Line,” International Journal for Research in Applied Science & Engineering Technology (IJRASET), ISSN: 2321-9653, vol. 6, no. III, pp. 1522-1526, March 2018.

[3] Z. Gajić, B. Hillström, and F. Mekić, “HV Shunt Reactor Secrets for Protection Engineers,” Proceedings of the 30th Annual Western Protective Relay Conference, Spokane, WA, October 2003.

[4] A. Balakrishnan, W. T. Joines, and T. G. Wilson, “Air-gap reluctance and inductance calculations for magnetic circuits using a Schwarz-Christoffel transformation,” IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 12, pp. 654-663, 1997.

[5] E. Nashawati, N. Fischer, B. Le, and D. Taylor, "Impacts of Shunt Reactors on Transmission Line Protection," Proceedings of the 38th Annual Western Protective Relay Conference, Spokane, WA, October 2011, pp. 1-16.

[6] O. C. Zienkiewicz, R. L. Taylor, and J. Z. Zhu, The Finite Element Method: Its Basis and Fundamentals. Butterworth-Heinemann. ISBN 978-0-08-095135-5, 2013.

[7] W. M. Colonel and T. Mclyman, Transformer and Inductor Design Handbook, 3th edition, ISBN: 0-8247-5393-3, USA, 2004.

[8] A. Y. Arabul, E. Kurt, I. Senol, and F. K.Arabul, “An ınvestigation on flux density of three phase distributed Air-Gap 3-5 legged shunt reactor,” IRES-27th ICIET, Amsterdam, Netherlands, 25 December 2015.

[9] K. Dawood, “Modeling of Distribution Transformer for Analysis of Core Losses of Different Core Materials Using FEM,” 8th International Conference on Modeling Simulation and Applied Optimization (ICMSAO), Manama, Bahreyn, 2019.

[10] M. Mu, F. Zheng, Q. Li, and F. C. Lee, "Finite Element Analysis of Inductor Core Loss Under DC Bias Conditions," IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 28, no. 9, pp. 4414-4421, Sept. 2013, doi: 10.1109/TPEL.2012.2235465.




DOI: https://doi.org/10.34238/tnu-jst.4719

Các bài báo tham chiếu

  • Hiện tại không có bài báo tham chiếu
Tạp chí Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên
Phòng 408, 409 - Tòa nhà Điều hành - Đại học Thái Nguyên
Phường Tân Thịnh - Thành phố Thái Nguyên
Điện thoại: 0208 3840 288 - E-mail: jst@tnu.edu.vn
Phát triển trên nền tảng Open Journal Systems
©2018 All Rights Reserved