CHẾ TẠO, NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC NANO TINH THỂ LÕI/VỎ LOẠI-II CdTe/CdSe VÀ LÕI/VỎ/VỎ LOẠI-II/LOẠI-I CdTe/CdSe/ZnSe

Tóm tắt

Các nano tinh thể (NC) lõi/vỏ (C/S) loại-II CdTe/CdSe và lõi/vỏ/vỏ (C/S/S) loại-II/loại-I  CdTe/CdSe/ZnSe đã được chế tạo thành công bằng phương pháp hóa ướt trong dung môi không liên kết ODE. Các NC được chế tạo bằng phương pháp mới: sạch, an toàn và rẻ tiền, không sử dụng tri-n-octylphosphine (TOP) - một hóa chất rất đắt và độc hại. Sự hình thành của các cấu trúc C/S CdTe/CdSe và C/S/S CdTe/CdSe/ZnSe được chứng minh thông qua phổ hấp thụ (Abs), quang huỳnh quang (PL), tán xạ Raman (RS) và chụp ảnh bởi kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM). Các NC CdTe/CdSe và CdTe/CdSe/ZnSe có hình dạng tựa cầu, kích thước đồng đều với độ rộng bán phổ (FWHM) nhỏ hơn 48nm. Các tính chất quang và cấu trúc của các NC được khảo sát thông qua các phép đo phổ Abs, phổ PL và phổ nhiễu xạ tia X (XRD). Các NC CdTe, CdTe/CdSe và CdTe/CdSe/ZnSe chế tạo được đều có cấu trúc lập phương giả kẽm (ZB). Bằng cách cố định kích thước lõi CdTe và thay đổi chiều dày lớp vỏ CdSe, phổ PL của các NC C/S CdTe/CdSe có thể trải rộng từ 684 đến 779 nm với đặc trưng phát xạ loại II. Hiệu suất lượng tử (QY) của các NC CdTe/CdSe  lên đến 54% sau khi được bọc thêm lớp vỏ ZnSe. Các NC loại-II CdTe/CdSe và loại-II/loại-I CdTe/CdSe/ZnSe rất có tiềm năng ứng dụng trong các lĩnh vực phát sáng và quang điện.