HỆ SỐ ION HÓA TOWNSEND THỨ NHẤT TRONG HỖN HỢP KHÍ SiH4-O2 | Hiển | TNU Journal of Science and Technology

HỆ SỐ ION HÓA TOWNSEND THỨ NHẤT TRONG HỖN HỢP KHÍ SiH4-O2

Thông tin bài báo

Ngày đăng: 28/02/17

Các tác giả

1. Phạm Xuân Hiển Email to author, Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Hưng Yên
2. Trần Thanh Sơn, Trường Đại học Điện lực
3. Đỗ Anh Tuấn, Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Hưng Yên

Tóm tắt


Giá trị hệ số ion hóa Townsend thứ nhất trong hỗn hợp khí SiH4-O2 được tính toán bằng việc sử dụng các phân tích phương trình bậc hai Boltzmann. Hệ số Townsend thứ nhất trong hỗn hợp khí SiH4-O2 với các tỉ lệ trộn khác nhau nhận được dựa trên các bộ tiết diện va chạm đáng tin cậy của các phân tử SiH4 và O2. Do đó, các kết quả này là các dữ liệu quan trọng cho việc mô tả các quá trình phóng điện và phóng điện plasma trong các ứng dụng công nghiệp có sử dụng hỗn hợp khí SiH4-O2.


Từ khóa


phóng điện khí; hỗn hợp SiH4-O2; hệ số ion hóa Townsend thứ nhất

Toàn văn:

PDF

Các bài báo tham chiếu

  • Hiện tại không có bài báo tham chiếu
Tạp chí Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên
Phòng 408, 409 - Tòa nhà Điều hành - Đại học Thái Nguyên
Phường Tân Thịnh - Thành phố Thái Nguyên
Điện thoại: 0208 3840 288 - E-mail: jst@tnu.edu.vn
Phát triển trên nền tảng Open Journal Systems
©2018 All Rights Reserved