KHỐNG CHẾ SỰ HÌNH THÀNH TĂNG TRƯỞNG DẠNG ĐẢO CỦA GERMANI TRÊN ĐẾ SICLIC BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ

Tóm tắt

Những năm gần đây, các thiết bị tích hợp trên cơ sở silic ứng dụng cho quang điện tử tích hợp đã thu hút được sự quan tâm nghiên cứu. Màng epitaxy Ge trên đế silic đang trở thành một loại vật liệu quan trọng vì Ge có đặc tính giả vật liệu chuyển tiếp xiên và hoàn toàn tương thích với công nghệ silic. Tuy nhiên, vẫn còn tồn tại một trở ngại lớn để đạt được lớp Ge với chất lượng tinh thể tốt khi tăng trưởng trên đế silic do sự sai khác hằng số mạng lớn giữa Ge và Si (4,2%). Trong bài báo này chúng tôi nghiên cứu, chế tạo màng Ge chất lượng cao trên đế Si (100) với mật độ sai hỏng dạng dây thấp, đạt được nhờ quá trình tăng trưởng hai bước và xử lý nhiệt nhanh ở 900^oC trong thời gian 3 phút. Phương pháp chế tạo mẫu là phương pháp epitaxy chùm phân tử. Mật độ khuyết tật đạt được chỉ dưới 10⁴cm^-2, kết quả này góp phần hiện thực hoá việc chế tạo các thiết bị Ge trên nền Si ứng dụng trong công nghệ CMOS.